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  • 20264-8
    半导体温控装置Chiller冷水机介绍

    在当今高科技制造业中,特别是在半导体行业的CVD/PVD、Etch和IMP等关键工序,对温度的精确控制是保证产品质量和工艺稳定性的关键。Chiller高精度冷热循环器是一种通过制冷剂循环实现精确温度控制的设备,广泛应用于半导体制造、激光、FPD及精密实验室等领域。ChillerZC209是一台对循环液进行温度控制并输出冷热液的装置。具有温度稳定性高、温度范围广、故障自诊断、外部通信等丰富功能。采用先进的制冷及温度控制技术,具有广泛的温度范围:-20℃至+90℃,在半导体制作过...

  • 20264-8
    半导体温控装置Chiller的作用及原理

    Chiller(冷却器/冷水机)是集成电路制造中的关键温控系统,主要用于光刻、干法刻蚀(DryEtch)、化学气相沉积(CVD)、化学机械抛光(CMP)及快速热处理(RTP)等工艺环节,精准控制硅片托盘及反应腔的温度,为先进制程的稳定性和一致性提供了可靠保障。Chille在半导体制程中的作用1.光刻机Chiller主要用于冷却光源系统和投影物镜,确保物镜温度稳定,使光刻图案能够高精度地投影到硅片上,保障曝光精度和分辨率。2.刻蚀机在刻蚀工艺中,Chiller负责冷却反应腔和射...

  • 20264-8
    伸幸Shinwa T&H-ME1系列维修原理

    这是SHINWACONTROLSCo.,Ltd.(伸和控制株式会社,也译作“伸幸")生产的T&H-ME1系列温湿度控制设备(Temperature&HumidityControlUnit),主要面向半导体制造等高精度工业场景。中冷提供伸幸ShinwaTH-ME1系列维修服务。专业SHINWAT&H-ME1温湿度控制单元维修服务伸幸ShinwaTH-ME1系列维修服务我们专注于伸幸(SHINWACONTROLS)T&H-ME1系列温湿度控制单元的全流程维修、故障排查与深度维保服...

  • 20264-8
    高低温热流仪在光通信领域的国产化代替

    近年来,仪器设备进口成本受地缘政治与供应链断裂双重冲击陡增,叠加欧美技术捆绑与认证壁垒,国内企业陷入“买不起、修不起、换不动”的困境。国家通过重大科研专项和五年规划将科学仪器研发提升至战略高度,从研发、生产、政府采购等角度给予国产仪器优势地位。在此情况下,高低温热流仪国产化替代已取得显著进展,国产高低温热流仪设备在升降温速率、温度范围和精度等核心指标上已达到水平。例如,中冷低温的高低温热流仪具备超快升降温速率,-55℃~+125℃能在10秒左右完成温度变化,可模拟-90℃至+...

  • 20263-25
    超高速高低温气流冲击机在电子失效分析中的应用

    超高速高低温气流冲击机(热流仪)是电子失效分析的核心装备,凭借极速温变、局部精准冲击、高效加速老化三大核心优势,能快速复现电子元器件在异常温度波动下的热应力失效,精准定位缺陷根源,为半导体、PCB、光模块等产品的可靠性验证与失效改进提供关键支撑。一、核心技术特性与失效分析机理设备采用双回路独立控温、高速电磁切换阀与局部气流导流技术,可实现-65℃至+150℃超宽温域循环,温变速率高达17.5℃/s,10秒内完成异常温跨切换,远优于传统冷热冲击箱。其通过高速气流直接作用于样品局...

  • 20263-20
    为什么芯片研发过程中需要做HAST测试?

    在芯片研发过程中进行HAST(HighlyAcceleratedStressTest,高加速应力测试)测试,是确保芯片在恶劣环境下长期可靠性的关键步骤。HAST全称为HighlyAcceleratedStressTest(高加速应力测试),是一种通过高温(通常130°C以上)、高湿(85%RH以上)和高偏压(可选)的条件,显著加速芯片内部材料的物理和化学退化过程(如金属迁移、绝缘层水解、界面劣化等)。例如,常温下需数年才能显现的失效模式,在HAST中可能仅需数百小时即可复现。...

  • 20263-20
    CP测试的主要内容和常用方法

    CP测试(晶圆探针测试)在晶圆制造完成后、封装前进行,通过探针接触晶圆上的裸片(Die)进行电气性能和功能验证,CP测试内容根据芯片类型(数字、模拟、混合信号、存储器等)有所不同,但通常包括以下几大类:1.DC参数测试(DirectCurrentTest):DC测试用于测量芯片在静态条件下的电气特性,是CP测试的基础。包括供电电流测试;I/O引脚参数测试;开路与短路测试(Continuity&LeakageTest)。2.功能测试(FunctionalTest):功能测试验证...

  • 20263-20
    气流仪应用于IGBT特性分析温度验证

    IGBT器件的通态特性和阻断特性和工作温度由很大关系,不同结构的IGBT静态特性随温度的变化也不相同。1.温度对IGBT通态特性的影响IGBT的集电极电流分为两个部分:其一是电流是由P+集电区注入到n-漂移区并经Pwell流向发射极的空穴电流;其二是由n+发射区经沟道注入到n-漂移区的电子电流。对于PT-IGBT而言,因为其集电极一侧的pnp晶体管的电流放大系数比较高,导致其空穴电流相对较大,所以PT-IGBT器件的饱和电压降具有负温度系数,即温度越高,饱和电压降越低。因为P...

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